Nächsten Generation der Halbleitertechnologien
Das IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik arbeitet seit vielen Jahren eng mit der Universität Nagoya, Japan, zusammen. Die Partnerschaft umfasst eine Forschungszusammenarbeit in den Bereichen Silizium-Germanium-Epitaxie, Nanotechnologie sowie fortschrittliche Halbleiter- und optoelektronische Bauelemente. Neben der Erforschung neuer Halbleitertechnologien umfasst die Partnerschaft auch einen intensiven Austausch von Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern sowie Studierenden, um Wissen und Erfahrungen zu teilen.
Die Partner entwickeln neue Epitaxietechniken und -methoden zur Optimierung der Halbleiterschnittstellen, um die Miniaturisierung elektronischer Geräte zu ermöglichen. Eines der Schlüsselelemente ist die Untersuchung von SiGe-Epitaxieprozessen unter Verwendung der IHP-Technologieplattform. Die Eigenschaften von Silizium-Germanium-Nanodrähten und Nanopunkten werden für den Einsatz in energieeffizienten Transistoren und Lasern auf Siliziumbasis untersucht. Weitere Forschungsthemen sind die Lumineszenzeigenschaften von Si- und Ge-Nanostrukturen sowie innovative Lösungen für Sub-10nm-Technologien.
